MoS在铁电栅压调控下能带结构的原位表征二维材料具有原子级别的厚度，因此可以通过栅极外加电场对其电子能带进行高效和灵活的调控。铁电材料不仅可以提供比传统绝缘栅极更强的电场强度，还具有非易失性的铁电回滞，这使得基于铁电栅极的二维场效应晶体管具有传统器件所不具有的性能，从而得到了广泛的关注，这些新的性能都来自于其微观电子结构在铁电调控下的动态变化，然而传统的实验方法需要高真空或者破坏性测试，难以对这种变化进行原位观测。
1、与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才耐受高电…
我觉得应该是以下两个原因:1。目前，大多数功率MOSFET采用垂直/结构，增加了电流的有效面积，使它们能够承受更大的电流。2.功率MOSFET具有低掺杂N区，接近未掺杂的纯半导体材料，即本征半导体，因为掺杂浓度低，所以可以承受高电压。
2、场效应管是个什么东西?原理作用都是什么?
FieldEffectTransistor是场效应晶体管(FET)的缩写。主要有两种类型(junctionFETJFET)和metaloxidesemiconductorFET场效应晶体管(MOSFET)。多数载流子参与导电，又称单极性晶体管。属于压控半导体器件。简而言之，FET的工作原理是“漏源间流动的沟道的ID用来控制栅极和沟道间pn结形成的反向偏置栅极电压”。
3、mos管导通过程
4、电力 mosfet为什么比信息电子电路 mosfet有耐高压,大电流的能力
电力电子器件用在主电路中(高压领域)，这也是很多器件在名称中加电力二字的原因。它们和信息电路中的原理一样，只是制造工艺有区别，mosfet是电力电子器件，不用于通信电路。通信中使用的mos晶体管都是用于放大的，而mosfet只能工作在开关状态，不能用于放大，至于用多大的电流或者用多大的耐压取决于电路的需要，并不是说为什么谁的耐压比谁高，就像你要称一个100kg的东西，用只能称10kg的秤或者用地磅来称，显然是不合适的。