什么是IGBT管？什么是IGBT？什么是IGBT？它是做什么的？什么是IGBT模块？如果你想了解IGBT，去中国IGBT网吧，那里有IGBT交流帮你了解IGBT。GTO、GTR、MOSFET、igbt分别代表什么电力电子元件？什么是IGBT？IGBT是绝缘栅双极晶体管。
1、igbt是什么来的?(看介是个半导体
IGBT是继MOS晶体管之后的新一代开关元件，相当于串联了一个MOS晶体管和一个BJT。见百度百科。IGBT的主要特点是开通速度快，可以瞬间达到大电流驱动的最后阶段，栅极电压可以控制开关。因为是MOS管的栅极，输入电阻大。总的来说，它结合了MOS管和BJT的优点。但缺点是关断时间慢。目前，IGBT已广泛应用于分立器件和集成电路产品中，是电源应用中最重要的器件之一。
2、igbt是什么
IGBT是绝缘栅双极晶体管。IGBT的全称是“绝缘门双极晶体管”。IGBT是由BJT双极晶体管和MOS绝缘栅场效应晶体管组成的复合型全控电压驱动功率半导体器件。IGBT的特点是耐压高、导通电压低、开关速度快、驱动功率低。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
3、IGBT可以做功放吗?
应该可以。电路需要修改，比如调整静态电流。做d类功放，也就是数字功放。当IGBT通常用作开关元件时，它处于饱和和关断状态。你的意思是让IGBT工作在放大状态。不应该以这种方式使用IGBT，但理论上应该可以调整参数，但这不是必需的。用MOS管就行了。
4、GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要…
GTO(门级可关断晶闸管):全控型器件电压电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制作用，电流流通能力强，电流关断增益小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。GTO具有较大的电压和电流容量，适用于大功率场合，具有电导调制效应，电流流通能力强。电流关断增益小，栅极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。
GTR具有耐压高、电流大、开关特性好、电流能力强、饱和电压降低导致开关速度低、电流驱动、驱动功率大、驱动电路复杂、二次击穿问题等优点。MOSFET(功率场效应晶体管)驱动电路简单，驱动功率低，开关速度快，工作频率高，热稳定性比GTR高，但电流容量小。MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率低、驱动电路简单、工作频率高、无二次击穿问题、电流容量小、耐压低的优点，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子器件。
5、什么是IGBT管?有什么作用?怎样判断好坏?
IGBT管是MOS管(场效应管)和双极达林顿管的组合。普通场效应晶体管只能在较弱的驱动电压下工作，但由于其内阻大、发热快，很难长时间工作在高电压、大电流状态。大功率达林顿管虽然可以在高电压大电流下长时间工作，但需要较大的驱动电流。场效应管用作推管，大功率达林顿管用作输出管。
IGBT管有:P型、N型、有阻尼和无阻尼。普通IGBT管的引脚排列，引脚朝下，标准型号面向自身。从左到右数，一脚:栅极(G)，二脚:集电极(C)，三脚:发射极(E)。测量前，将三个管脚短路(放电)，用指针式仪表测量1K范围内Gc和ge的电阻值。红笔接C极，黑笔接E极。如果测得值在3.5K左右，说明管内含有阻尼二极管；如果测量值在50K左右，则没有阻尼。
6、IGBT是什么东西啊起到什么作用???
绝缘栅双极型功率晶体管是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，兼具MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降小的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。
7、IGBT模块是什么东西?有什么用?
如果你想了解IGBT，去中国IGBT网吧，那里有IGBT交流帮你了解IGBT。1.IGBT(insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极晶体管，是一种由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
8、IGBT是什么东西?
IGBT是绝缘栅晶体管的缩写，是一种压控电流型电力电子器件。它的控制信号是电压，输出驱动电流。工作电压几百伏以上，电流几十安培以上。这是一个电子开关，绝缘栅双极晶体管。IGBT是英文单词Insured GateBipolar Translator，中文意思是绝缘栅极双极晶体管。从功能上讲，IGBT是一种电路开关，具有电压可控、饱和压降小、耐压高的优点。
9、IGBT是什么
(绝缘双极翻译器)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体。这是一个场效应功率管。IGBT(绝缘栅双极晶体管)是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件。
GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压，非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT结构图的左侧示出了N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N区称为源区，附着其上的电极称为源极。