为什么电感元件通低频阻挡高频，电感通低频阻挡高频？为什么为什么通高频阻低频的电容要小电容？电容器为什么要经过高频电阻和低频电容元件最基本的性质。如何解释电容通高频抗低频的原理？但不代表通低频，抗高频，电容器总是通过高阻抗和低频率…都说电容通高频抗低频，所以所谓高频低…通高频和抗低频只是一个相对的概念，打开高频。
1、如何理解电容元件的“隔直通交”,“通高频”,“阻低频”的性质
嘿嘿，在我们从事无功补偿控制系统开发生产的31年间，客户新手经常会问这样的问题。我想说:先把你老师拉出来打他屁股！怎么教书？电容器之所以具有交流、隔离直流的特性，本质上是电容器充放电特性的反映。具体来说，交流通信就是一个过程，大家都知道电容上的电压不能跳变，所以当一个交流信号加到电容的A端时，此时B端的电压和A端的电压是一样的。
然而，在电容器仅被少量充电的瞬间，端子A处的电压变化很快。所以根据不跳原则，B端得跟上。这个过程，从电容器两端看，相当于电容器对交流电导电。这就是沟通的原则。从以上过程可以看出，当电容器的电容量一定时，交流电的频率越高，通过特性越好。也就是说，电容器对交流电的阻抗随着频率的增加而减小。相反，保持直线要容易得多。
2、电容器通高频阻低频原理如何解释?我忘了。高中讲过的
考虑充放电频率(次)。你好:我有个印象，电容器接交流电是为了抗直流电，这主要和电容器的结构原理有关:电容器是由两块比较靠近的极板组成的。在交流电的正半周，当正电荷积聚在主动板上时，负电荷通过电场的作用积聚在从动板上，于是就有了电动势(电容充电)；在交流电的负半周，交流电通过电容器的过程，正是通过电场的作用和电荷的积累(电容器放电)对电容器进行充放电的过程。
3、…都说电容通高频阻低频,而电感是通低频阻高频,那这个所谓的高频和低…
通高频，拒低频只是一个相对的概念。电容CR1/(2πfC)，即不同的电容和频率对信号有不同的阻抗。一般来说，在电路中接入一个电容，某一频率的信号强度下降3dB，我们称这个点为转折点(分频点)，即上面的信号通过，下面的信号被阻断。这只是一个相对的概念，不仅与电容有关，还与负载的电阻有关。当负载阻抗为10欧姆时，同样的1nF电容的转折频率约为100KHZ，而当负载阻抗为10 kHz时，转折频率仅为100HZ。
4、 为什么通高频阻低频的电容器要电容小的呢?
电容器对交流的电阻用容抗Xc表示:Xc1/2πfC，与电容器的电容量成反比。对于低频电流F，电容C越小，容抗越大，低频电阻的效果越好。这就是为什么使用电容较小的电容器。这是电路原理。我不明白。在电容器的选择上，不仅要知道容抗的计算，还要知道各种电容器的特性参数和等效参数以及应用场合(电路需要)。高频和低频在某些情况下只是相对而言。
5、电容能通高频阻低频的原理
电容器存在充放电时间问题。当电容在交流电的正半周充电时，电路中有电流流动，相当于一条通路。电容器一旦充电，电路中就没有电流流动，相当于开路。当交流电的负半周到来时，又会产生电流，电流会先抵消掉原本充在电容上的相反电荷，继续充电，直到充满为止。现在假设电容需要的充电时间t是一定的，当一个高频交流电的正半周结束，假设电容容量足够大，还没有充满电，负半周就来了，那么电路就一直有电流流过，相当于电容可以接入这个高频交流电。
如果充电时间相对于交流电的半个周期来说比较长，那么电容器在这个频率下并没有完全与交流电断开，而是具有一定的阻抗。如果充电时间相对于该频率下交流电流的半周期非常短，则可以认为电容器完全断开，没有电流流过。线圈的原理是一样的，只不过不是充电的问题，而是建立其应有磁场的问题。
6、电感元件为什么通低频阻高频,又为什么通直流阻交流?
阻抗太大则越不可通，阻抗越小则通过性越好，阻抗为零则全通。电感的阻抗ZLjwL，w是信号的角频率，DC信号的w0是全通的，但是如果频率很低或者电感足够小，ZL不为零，只是几ω，被认为对信号的衰减作用很小，有时被认为是全通的。然而，如果ZL随着频率的增加而变高，则认为信号传输被切断。
7、电容为什么会通高频阻低频
电容元件最基本的性质。工作在高频时，结电容对频率有影响，但不代表通低频，抗高频，电容永远是低通高阻，这个不会变。工作在高频时，选择该元件的其他外围元件时要考虑结电容，因为图纸上的设计与实际应用不同，该设计处于理想状态，但在实际应用中，由于结电容的存在，实际选用的元件必须比设计参数增加或减少才能达到预期值。